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ORMOCER®e für
die Mikrosystem-
technik
Ansprechpartner:
Dr. Ruth Houbertz-Krauß
Telefon +49 931 4100-520
Fax +49 931 4100-559
ruth.houbertz-krauss@
isc.fraunhofer.de
Fraunhofer-Institut für Silicatforschung ISC
Neunerplatz 2
97082 Würzburg
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ORMOCER®e sind gut geeignet für strukturierbare Schichten mit definierten elektrischen und optischen Eigenschaften. Die Strukturierung erfolgt bevorzugt durch eine selektive Polymerisationsreaktion. ORMOCER®e zeigen im allgemeinen Negativresisteigenschaften, d. h., sie sind kompatibel zur Dünnfilmtechnologie der elektrischen und optischen Aufbau- und Verbindungstechnik.
Hervorragende Feuchtestabilität, hohe Isolationswiderstände sowie gute Haftung auf den meisten Substraten verhelfen ORMOCER®en zu sehr guten Passivierungseigenschaften. Die Möglichkeit zur Funktionalisierung der ORMOCER®e erlaubt außerdem die Herstellung von Materialien mit ionischer Leitfähigkeit oder niedrigen optischen Verlusten (optische Nachrichtentechnik). Anwendungsbeispiele - Dielektrika für die Aufbau- und Verbindungstechnik
- Passivierung, Isolierung und Kapselung für die (Mikro)Elektronik
- Optische Leiterstrukturen als Verbindungen und Schalter für die Optoelektronik
- Substrate und Schichten für mikromechanische Anwendungen
- Feststoffionenleiter (Li+/H+) für Batterien, Superkondensatoren, Brennstoffzellen und elektrochrome Fenster
Strukturierungstechniken - Reinraumtechnik
- Photolithographie (Abstands- oder Kontaktbelichtung bei 250 bzw. 380 nm)
- Laserdirektschreiben (257, 360, 514 nm)
- Laserablation (248 nm)
- Abformtechnologie, Prägen (Netz, Stempel, Maske)
- Mikrosprühauftrag
- Sieb- und Tampondruck
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